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芯片简介

STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能线系列采用了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核,在72 MHz频率、高速嵌入式存储器(高达512 KB的闪存和高达64 KB的SRAM),以及广泛的增强型I/O和外围设备连接到两条APB总线。所有设备都提供三个12位ADC,四个通用16位-位定时器加上两个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB。STM32F103xC/D/E高密度性能线系列在–40到+105°C的温度范围,从2.0到3.6 V的电源。一套全面的
节能模式允许设计低功耗应用程。

芯片特征

•核心:ARM®32位Cortex®-M3 CPU
–72 MHz最大频率,1.25 DMIPS/MHz
(Dhrystone 2.1)在0等待状态下的性能
存储器存取
–单循环乘法和硬件
–256至512 KB的闪存
–高达64 KB的SRAM
–带4芯片的灵活静态内存控制器
选择支持Compact Flash、SRAM、,
PSRAM、NOR和NAND存储器
–LCD并行接口,8080/6800模式
•时钟、重置和供应管理
–2.0至3.6 V应用电源和I/O
–POR、PDR和可编程电压检测器
(PVD)
–4至16 MHz晶体振荡器
–内部8 MHz工厂修整RC
–内部40 kHz RC,带校准
–32 kHz振荡器,用于带校准的RTC
•低功率
–睡眠、停止和待机模式
–RTC和备份寄存器的VBAT电源
•3×12位,1μs A/D转换器(最多21个
通道)
–转换范围:0至3.6 V
–三重采样和保持能力
–温度传感器
•2×12位D/A转换器
•DMA:12通道DMA控制器特征
•核心:ARM®32位Cortex®-M3 CPU
–72 MHz最大频率,1.25 DMIPS/MHz
(Dhrystone 2.1)在0等待状态下的性能
存储器存取
–单循环乘法和硬件
分开
•记忆
–256至512 KB的闪存
–高达64 KB的SRAM
–带4芯片的灵活静态内存控制器
选择支持Compact Flash、SRAM、,
PSRAM、NOR和NAND存储器
–LCD并行接口,8080/6800模式
•时钟、重置和供应管理
–2.0至3.6 V应用电源和I/O
–POR、PDR和可编程电压检测器
(PVD)
–4至16 MHz晶体振荡器
–内部8 MHz工厂修整RC
–内部40 kHz RC,带校准
–32 kHz振荡器,用于带校准的RTC
•低功率
–睡眠、停止和待机模式
–RTC和备份寄存器的VBAT电源
•3×12位,1μs A/D转换器(最多21个
通道)
–转换范围:0至3.6 V
–三重采样和保持能力
–温度传感器
•2×12位D/A转换器
•DMA:12通道DMA控制器

功能框图

引脚配置

电源配置

芯片封装

LFBGA144–144球低剖面细间距球栅阵列,10 x 10 mm,0.8 mm间距