STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE性能线系列采用了高性能ARM®Cortex®-M3 32位RISC内核，在72 MHz频率、高速嵌入式存储器（高达512 KB的闪存和高达64 KB的SRAM），以及广泛的增强型I/O和外围设备连接到两条APB总线。所有设备都提供三个12位ADC，四个通用16位-位定时器加上两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、两个I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB。STM32F103xC/D/E高密度性能线系列在–40到+105°C的温度范围，从2.0到3.6 V的电源。一套全面的

节能模式允许设计低功耗应用程。

•核心：ARM®32位Cortex®-M3 CPU

–72 MHz最大频率，1.25 DMIPS/MHz

（Dhrystone 2.1）在0等待状态下的性能

存储器存取

–单循环乘法和硬件

–256至512 KB的闪存

–高达64 KB的SRAM

–带4芯片的灵活静态内存控制器

选择支持Compact Flash、SRAM、，

PSRAM、NOR和NAND存储器

–LCD并行接口，8080/6800模式

•时钟、重置和供应管理

–2.0至3.6 V应用电源和I/O

–POR、PDR和可编程电压检测器

（PVD）

–4至16 MHz晶体振荡器

–内部8 MHz工厂修整RC

–内部40 kHz RC，带校准

–32 kHz振荡器，用于带校准的RTC

•低功率

–睡眠、停止和待机模式

–RTC和备份寄存器的VBAT电源

•3×12位，1μs A/D转换器（最多21个

通道）

–转换范围：0至3.6 V

–三重采样和保持能力

–温度传感器

•2×12位D/A转换器

•DMA：12通道DMA控制器特征

•核心：ARM®32位Cortex®-M3 CPU

–72 MHz最大频率，1.25 DMIPS/MHz

（Dhrystone 2.1）在0等待状态下的性能

存储器存取

–单循环乘法和硬件

分开

•记忆

–256至512 KB的闪存

–高达64 KB的SRAM

–带4芯片的灵活静态内存控制器

选择支持Compact Flash、SRAM、，

PSRAM、NOR和NAND存储器

–LCD并行接口，8080/6800模式

•时钟、重置和供应管理

–2.0至3.6 V应用电源和I/O

–POR、PDR和可编程电压检测器

（PVD）

–4至16 MHz晶体振荡器

–内部8 MHz工厂修整RC

–内部40 kHz RC，带校准

–32 kHz振荡器，用于带校准的RTC

•低功率

–睡眠、停止和待机模式

–RTC和备份寄存器的VBAT电源

•3×12位，1μs A/D转换器（最多21个

通道）

–转换范围：0至3.6 V

–三重采样和保持能力

–温度传感器

•2×12位D/A转换器

•DMA：12通道DMA控制器

LFBGA144–144球低剖面细间距球栅阵列，10 x 10 mm，0.8 mm间距